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我國半導體異質整合發展之挑戰 - 財團法人中技社

TCB 技術已達到量產. 階段，微凸塊間距為25µm，矽片厚度為40µm，適用於先進記憶體與處理器。HCB. 技術則提供更高密度及更細間距的連接，微凸塊間距縮小至4µm，矽片厚度減少.

K&S：先進封裝有三大挑戰 - COMPOTECH Asia

裸片以熱壓鍵合(TCB) 堆疊會有高應力、高熱壓問題，熱度經過層層累積，層數越多、負作用越大；3.使用助焊劑(flex) 容易出現孔洞缺陷或殘留。有鑑於此，K&S 特 ...

必富未上市財經網

• 公司主要營收來源：1)權利金，惠特、中國矽電半導體為大客戶；2)舊設備維修升級；3)設備製造，包含LED Sorter/FOB、CIS AOI/五面分揀/六面分揀機、先進封裝Fan-out/ ...

邁向半導體設備製造商之路 - 必富網

當初與惠特科技合作有其時空背景惠特負責代理代工銷售維修. 梭特收惠特授權金. 反而在此一合作關係中.梭特只是沒收到授權金. 並沒有庫存的情況而反觀惠特科技庫存積壓 ...

先進製程EUV、CoWoS 設備火！大摩點名兩台廠受惠 - TechNews 科技新報

美系外資摩根士丹利（大摩）近日出具最新報告指出，台灣半導體設備商家登和萬潤分別在極紫外線（EUV）、CoWoS 這兩大趨勢具曝光度，給予優於大盤評級， ...

先進封裝關鍵技術看鍵合(bonding) - 台股產業研究室

熱壓鍵合(TCB): 高精度+低翹曲, 應用於多種封裝場景. 當制程升級到14nm 工藝後, 基板和晶片的厚度都將成倍下降, 熱應力下的翹曲效應使得凸點橋接 ...

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