愛玩股
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基本資料
相對強度
財報分析
成長能力
財務比率
現金流量
償債能力
成本分析
實用連結
股價漲跌幅 vs 大盤
2024
2023
2022
2021
GAN
-22.44%
8.03%
-86.76%
-36.54%
QQQ
5.94%
32.03%
-26.26%
31.89%
SPY
6.93%
11.5%
-11.45%
26.28%
DIA
1.95%
3.83%
-0.37%
16.12%
股價相對於SPY500 (4周): -4.21%
股價相對於SPY500 (13周): -25.94%
股價相對於SPY500 (26周): -9.76%
股價相對於SPY500 (52周): -46.03%
報酬率 (13周): -21.79%
報酬率 (26周): 10.91%
報酬率 (52周): -22.78%
別人也問了
gan應用
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深度學習gan應用
gan生成對抗網路應用
GaN Systems
GaN 能隙
Gallium nitride
sic應用
相對強度相關資訊
氮化鎵(
GaN
)何去何從? - EPC Co
氮化鎵
技術
在Lidar系統中發揮非常重要的作用- 與可比的矽基元件相比,氮化鎵元件以更高的速度發射鐳射信號。
GaN
is used in augmented reality devices 相同的lidar
技術
也 ...
寬能隙功率半導體競爭格局及趨勢
分析
- 電子工程專輯
寬能隙(WBG)半導體在中國也被稱為「第三代半導體」,目前以SiC、
GaN
材料半導體元件為代表,適用於光電子、功率電子、射頻電子三大領域。
GaN
氮化鎵功率半導體元件動態參數
分析
儀(Device Dynamics Analyzer)
功率半導體/寬能隙半導體材料氮化鎵(
GaN
)支持大電壓和高切換速度,面對高壓、高流的測試要求,面對這種量測困難,我們獨家提供「元件動態參數
分析
儀(Device Dynamics ...
DDA8010
GaN
氮化鎵元件動態參數
分析
儀 - 測試儀器租借
功率半導體/寬能隙半導體材料氮化鎵(
GaN
)支持大電壓和高切換速度,面對高壓、高流的測試要求,我們獨家代理販售「元件動態參數
分析
儀(Device Dynamics Analyzer)」,有別於 ...
【美股
技術分析
】英飛凌股價突破整理區間,挑戰一年半以來新高 ...
氮化鎵(
GaN
) 部分,主力目標市場會放在3C 快充、通訊、寬頻等領域,近年來因成本優勢,逐漸朝向直流對直流( DC-DC )、車載充電器( OBC ) 等原本是SiC 的 ...
誰有機會成為下一個台積電?
分析
師看台灣第3代半導體 - 商周財富網
第3代半導體以碳化矽(SiC)以及氮化鎵(
GaN
)為代表,可應用在更高階的高壓功率 ... 取得碳化矽晶球長約,在SiC與
GaN
的
技術
開發已取得優異成果, ...
誰有機會成為下一個台積電?
分析
師看台灣第3代半導體
第3代半導體以碳化矽(SiC)以及氮化鎵(
GaN
)為代表,可應用在更高階的高壓功率元件(Power)以及高頻通訊元件(RF)領域。 △碳化矽由於其耐高溫及高壓 ...
DDA8010氮化鎵
GaN
元件動態參數
分析
儀 - 堉宸科技股份有限公司
功率半導體/寬能隙半導體材料氮化鎵(
GaN
)支持大電壓和高切換速度,面對高壓、高流的測試要求,我們獨家代理販售「元件動態參數
分析
儀(Device Dynamics Analyzer)」,有別於 ...
光調制反射光譜
技術分析
氮化鎵表面費米能階及深層能皆之研究
本論文利用光反射調制光譜
技術
(photoreflectance,PR)研究III-V 族氮化物的光電性質。除了對undoped-
GaN
、
GaN
LED、In0.4Ga0.6N樣品作基本的PR譜線
分析
之外, ...
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